STB8NM60D دیتاشیت

ST(B,P)8NM60D

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت ST(B,P)8NM60D
حجم فایل 751.471 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت ST(B,P)8NM60D

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: MDmesh™
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Not For New Designs
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
  • Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: D2PAK
  • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Part Number: STB8N
  • detail: N-Channel 600V 8A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount D2PAK

محصولات مشابه